Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Diodai - lygintuvai - viengubi
  5. JAN1N4150UR-1

Microsemi Corporation - JAN1N4150UR-1

KEY Part #: K6427238

JAN1N4150UR-1 Kainodara (USD) [50084vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$1.35295
Dalies numeris:
JAN1N4150UR-1
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tiristoriai - TRIAC, Tiristoriai - SCR - moduliai, Tranzistoriai - specialios paskirties and Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N4150UR-1 electronic components. JAN1N4150UR-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N4150UR-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4150UR-1 Produkto atributai

Dalies numeris : JAN1N4150UR-1
Gamintojas : Microsemi Corporation
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
Serija : Military, MIL-PRF-19500/231
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 50V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 200mA (DC)
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1V @ 200mA
Greitis : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Atbulinės eigos laikas (trr) : 4ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 100nA @ 50V
Talpa @ Vr, F : -
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : DO-213AA
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-213AA
Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 175°C

Naujausios naujienos

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Galbūt jus taip pat domina
  • V35PWM45HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 35A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V35PWM12-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers If(AV)35A Vrrm 120V TMBS eSMP Trench MOS

  • V20PWM10-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 20A If(AV)

  • V35PW12-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

  • V35PW15HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 150V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 35A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V20PW12-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 20A If(AV)

Karštos dalys