Vishay Siliconix - SIRC06DP-T1-GE3

KEY Part #: K6411677

SIRC06DP-T1-GE3 Kainodara (USD) [213337vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.17338

Dalies numeris:
SIRC06DP-T1-GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 30V.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas and Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SIRC06DP-T1-GE3 electronic components. SIRC06DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIRC06DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIRC06DP-T1-GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SIRC06DP-T1-GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH 30V
Serija : TrenchFET® Gen IV
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 30V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 32A (Ta), 60A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 2.7 mOhm @ 15A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 2.1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 58nC @ 10V
VG (maks.) : +20V, -16V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 2455pF @ 15V
FET funkcija : Schottky Diode (Body)
Galios išsklaidymas (maks.) : 5W (Ta), 50W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : PowerPAK® SO-8
Pakuotė / Byla : PowerPAK® SO-8