Dalies numeris :
SIRC06DP-T1-GE3
Gamintojas :
Vishay Siliconix
apibūdinimas :
MOSFET N-CH 30V
Serija :
TrenchFET® Gen IV
Technologija :
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
30V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
32A (Ta), 60A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) :
4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
2.7 mOhm @ 15A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
2.1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
58nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
2455pF @ 15V
FET funkcija :
Schottky Diode (Body)
Galios išsklaidymas (maks.) :
5W (Ta), 50W (Tc)
Darbinė temperatūra :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas :
Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas :
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / Byla :
PowerPAK® SO-8