BAT60BE6327HTSA1 Kainodara (USD) [922848vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.04008
- 3,000 pcs$0.03820
- 6,000 pcs$0.03607
- 15,000 pcs$0.03289
- 30,000 pcs$0.03077
- Dalies numeris:
- BAT60BE6327HTSA1
- Gamintojas:
- Infineon Technologies
- Išsamus aprašymas:
- DIODE SCHOTTKY 10V 3A SOD323-2. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Schottky Diode
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tiristoriai - TRIAC, Diodai - RF, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Infineon Technologies BAT60BE6327HTSA1 electronic components. BAT60BE6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAT60BE6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAT60BE6327HTSA1 Produkto atributai
Dalies numeris :
BAT60BE6327HTSA1
Gamintojas :
Infineon Technologies
apibūdinimas :
DIODE SCHOTTKY 10V 3A SOD323-2
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Schottky
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
10V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
3A (DC)
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
600mV @ 1A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
-
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
25µA @ 8V
Talpa @ Vr, F :
30pF @ 5V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
SC-76, SOD-323
Tiekėjo įrenginio paketas :
PG-SOD323-2
Darbinė temperatūra - sankryža :
150°C (Max)
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
-
BAS70E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 70V 0.07A
-
MMBD1401A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode
-
VS-12EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 12A TO252. Rectifiers 12A 600V 18ns Hyperfast
-
VS-15EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers 15A 600V 22ns Hyperfast
-
VS-8EWH02FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO252. Rectifiers Freds - D-PAK-e3
Karštos dalys
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A