Dalies numeris :
DMJ70H1D3SI3
Gamintojas :
Diodes Incorporated
apibūdinimas :
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
Technologija :
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
700V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
4.6A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) :
10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
13.9nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
351pF @ 50V
Galios išsklaidymas (maks.) :
41W (Tc)
Darbinė temperatūra :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas :
Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas :
TO-251
Pakuotė / Byla :
TO-251-3 Stub Leads, IPak