Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Diodai - lygintuvai - masyvai
  5. MURTA200120R

GeneSiC Semiconductor - MURTA200120R

KEY Part #: K6468687

MURTA200120R Kainodara (USD) [893vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$52.02314
  • 18 pcs$36.55488
Dalies numeris:
MURTA200120R
Gamintojas:
GeneSiC Semiconductor
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER. Rectifiers 1200V 200A Si Super Fast Recovery
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - TRIAC, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Diodai - lygintuvai - masyvai, Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - JFET and Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MURTA200120R electronic components. MURTA200120R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURTA200120R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURTA200120R Produkto atributai

Dalies numeris : MURTA200120R
Gamintojas : GeneSiC Semiconductor
apibūdinimas : DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo konfigūracija : 1 Pair Common Anode
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 1200V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) (vienam diodui) : 100A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 2.6V @ 100A
Greitis : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : -
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 25µA @ 1200V
Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 150°C
Montavimo tipas : Chassis Mount
Pakuotė / Byla : Three Tower
Tiekėjo įrenginio paketas : Three Tower
Galbūt jus taip pat domina
  • RURD620CCS9A-F085P

    ON Semiconductor

    UFDR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers UFDR DPAK PN 6A 200V

  • LQA10T150C

    Power Integrations

    DIODE CC 150V 5A DUAL TO-220AB. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect

  • LQA12T300C

    Power Integrations

    DIODE ARRAY GP 300V 6A TO220AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Q-Series 300V 6A Dual Ultra-Low Qrr

  • LQA40T150C

    Power Integrations

    DIODE CC 150V 20A DUAL TO-220AB. Rectifiers 150V, Dual, 20A Ultra-Low Qrr Rect

  • LQA32T300C

    Power Integrations

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 300V TO220. Rectifiers Q-Series 300V 16A Dual Ultra-Low Qrr

  • LXA08T600C

    Power Integrations

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO220. Rectifiers X-Series 600V 4A Dual Low Qrr

Karštos dalys