BAS16-G3-08 Kainodara (USD) [3236035vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.01206
- 15,000 pcs$0.01200
- Dalies numeris:
- BAS16-G3-08
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 250mA 6ns 500mA IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tiristoriai - TRIAC, Diodai - lygintuvai - masyvai, Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai and Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAS16-G3-08 electronic components. BAS16-G3-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS16-G3-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS16-G3-08 Produkto atributai
Dalies numeris :
BAS16-G3-08
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
Serija :
Automotive, AEC-Q101
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
75V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
150mA
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.25V @ 150mA
Greitis :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Atbulinės eigos laikas (trr) :
6ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
1µA @ 75V
Talpa @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tiekėjo įrenginio paketas :
SOT-23
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Karštos dalys
- IDL10G65C5XUMA1
- IDK03G65C5XTMA1
- JANTXV1N1190R
- VS-150SQ030
- 1N6304R
- RGP10K-M3/54
- RK 14
- VS-80SQ030TR
- S4250TS
- CD1005-B0140R
- SUF15G-E3/54
- SS3P6-E3/85A
- CDBP0130R-G
- BY229B-400-E3/81
- FGP50D-E3/73
- S204100
- ES3A-E3/51T
- FFPF06UP20STU
- VS-90SQ035TR
- R2040
- 8ETH03
- 80EPS12
- 300HF40P
- S3G-13
- FR603-T
- HFA25PB60
- VS-95SQ015
- SF12M-TP
- CR3-060GPP BK
- APD245VRTR-G1
- MUR140-TP
- HER204-TP
- FR154-TP
- 1N4944-TP
- 1A4-AP
- GIB1404HE3/81
- CMR1U-02 BK
- RX 10ZV
- SE10PB-M3/85A
- SE07PD-M3/85A