RS1JL RVG Kainodara (USD) [1467002vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.02521
- Dalies numeris:
- RS1JL RVG
- Gamintojas:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA. Rectifiers 250ns 0.8A 600V Fs Recov Rectifier
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - SCR - moduliai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Diodai - lygintuvai - viengubi and Tiristoriai - DIAC, SIDAC ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation RS1JL RVG electronic components. RS1JL RVG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS1JL RVG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RS1JL RVG Produkto atributai
Dalies numeris :
RS1JL RVG
Gamintojas :
Taiwan Semiconductor Corporation
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
600V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
800mA
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.3V @ 800mA
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
250ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
5µA @ 600V
Talpa @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
DO-219AB
Tiekėjo įrenginio paketas :
Sub SMA
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
C3D03060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 3A
-
MMBD1401
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
-
BAS20
ON Semiconductor
DIODE GP 200V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching SOT23 200mA 150V 50n s
-
-
Karštos dalys
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08