Dalies numeris :
IPB65R125C7ATMA1
Gamintojas :
Infineon Technologies
apibūdinimas :
MOSFET N-CH TO263-3
Dalies būsena :
Discontinued at Digi-Key
Technologija :
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
650V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
18A (Ta)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) :
10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
125 mOhm @ 8.9A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
4V @ 440µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
35nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
1670pF @ 400V
Galios išsklaidymas (maks.) :
101W (Tc)
Darbinė temperatūra :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas :
Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas :
D²PAK (TO-263AB)
Pakuotė / Byla :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB