Vishay Siliconix - SQJA82EP-T1_GE3

KEY Part #: K6416932

SQJA82EP-T1_GE3 Kainodara (USD) [164478vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.22488
  • 3,000 pcs$0.19003

Dalies numeris:
SQJA82EP-T1_GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Galios tvarkyklės moduliai, Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai and Tiristoriai - DIAC, SIDAC ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SQJA82EP-T1_GE3 electronic components. SQJA82EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJA82EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJA82EP-T1_GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SQJA82EP-T1_GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8
Serija : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 80V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 60A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 8.2 mOhm @ 10A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 60nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 3000pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 68W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : PowerPAK® SO-8
Pakuotė / Byla : PowerPAK® SO-8

Galbūt jus taip pat domina
  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • IPA65R150CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220.