6A80GHB0G Kainodara (USD) [635119vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.05824
- Dalies numeris:
- 6A80GHB0G
- Gamintojas:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 800V 6A R-6.
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - RF, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni and Tranzistoriai - IGBT - moduliai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation 6A80GHB0G electronic components. 6A80GHB0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 6A80GHB0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
6A80GHB0G Produkto atributai
Dalies numeris :
6A80GHB0G
Gamintojas :
Taiwan Semiconductor Corporation
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 800V 6A R-6
Serija :
Automotive, AEC-Q101
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
800V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
6A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1V @ 6A
Greitis :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
-
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
10µA @ 800V
Talpa @ Vr, F :
60pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas :
Through Hole
Pakuotė / Byla :
R6, Axial
Tiekėjo įrenginio paketas :
R-6
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
SB2H100-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO204AC. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 2.0 Amp 75 Amp IFSM
-
SB230-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO204AC. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Volt 2.0 Amp 60 Amp IFSM
-
V8P8HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers TMBS 80V Vrrm eSMP AEC-Q101 Qualified
-
V12P15HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 150V 12A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 150V SMPC (TO-277A) AEC-Q101 Qualified
-
AR3PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 600V 1.8A TO277A. Rectifiers 3A,600V, SMPC,Fast Recovery, Avalanche
-
V8P10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 8A, 100V, SMPC, TRENCH SKY RECT.
Karštos dalys
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR