Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Diodai - tiltiniai lygintuvai
  5. APTDF200H120G

Microsemi Corporation - APTDF200H120G

KEY Part #: K6539865

APTDF200H120G Kainodara (USD) [1333vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$32.49151
  • 100 pcs$32.38495
Dalies numeris:
APTDF200H120G
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Išsamus aprašymas:
BRIDGE RECT 1P 1.2KV 235A SP6.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - SCR - moduliai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tiristoriai - TRIAC and Tranzistoriai - specialios paskirties ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Microsemi Corporation APTDF200H120G electronic components. APTDF200H120G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTDF200H120G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTDF200H120G Produkto atributai

Dalies numeris : APTDF200H120G
Gamintojas : Microsemi Corporation
apibūdinimas : BRIDGE RECT 1P 1.2KV 235A SP6
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Single Phase
Technologija : Standard
Įtampa - didžiausia atbuline eiga (maks.) : 1.2kV
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 235A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 3V @ 200A
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 150µA @ 1200V
Darbinė temperatūra : -40°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas : Chassis Mount
Pakuotė / Byla : SP6
Tiekėjo įrenginio paketas : SP6

Naujausios naujienos

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Galbūt jus taip pat domina
  • GBPC1208W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 800V 12A GBPC-W. Bridge Rectifiers 800 Volt 12 Amp Glass Passivated

  • GBPC1501W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 100V 15A GBPC-W. Bridge Rectifiers 100 Volt 15 Amp Glass Passivated

  • GBPC1210W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1KV 12A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1000 Volt 12 Amp Glass Passivated

  • GBPC1202W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V 12A GBPC-W. Bridge Rectifiers 200 Volt 12 Amp Glass Passivated

  • GBPC1204W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 400V 12A GBPC-W. Bridge Rectifiers 400 Volt 12 Amp Glass Passivated

  • GBPC1510W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1KV 15A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1000 Volt 15 Amp Glass Passivated

Karštos dalys