RFN1L7STE25 Kainodara (USD) [752990vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.05266
- 1,500 pcs$0.05240
- Dalies numeris:
- RFN1L7STE25
- Gamintojas:
- Rohm Semiconductor
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS. Diodes - General Purpose, Power, Switching Diode Switching 700V 0.8A
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tiristoriai - SCR - moduliai, Tranzistoriai - JFET and Tiristoriai - DIAC, SIDAC ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Rohm Semiconductor RFN1L7STE25 electronic components. RFN1L7STE25 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RFN1L7STE25, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RFN1L7STE25 Produkto atributai
Dalies numeris :
RFN1L7STE25
Gamintojas :
Rohm Semiconductor
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS
Serija :
-
Dalies būsena :
Not For New Designs
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
700V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
800mA
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.5V @ 800mA
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
80ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
1µA @ 700V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
DO-214AC, SMA
Tiekėjo įrenginio paketas :
PMDS
Darbinė temperatūra - sankryža :
150°C (Max)
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
RGL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34D-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34J-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-200-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt
-
BYM07-100-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt
Karštos dalys
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G