Microsemi Corporation - APTM120A20DG

KEY Part #: K6522669

APTM120A20DG Kainodara (USD) [579vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$80.49067
  • 100 pcs$80.09022

Dalies numeris:
APTM120A20DG
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Išsamus aprašymas:
MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tiristoriai - SCR, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Diodai - lygintuvai - masyvai and Tranzistoriai - JFET ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Microsemi Corporation APTM120A20DG electronic components. APTM120A20DG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120A20DG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM120A20DG Produkto atributai

Dalies numeris : APTM120A20DG
Gamintojas : Microsemi Corporation
apibūdinimas : MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6
Serija : -
Dalies būsena : Active
FET tipas : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET funkcija : Standard
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 50A
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 240 mOhm @ 25A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 5V @ 6mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 600nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 15200pF @ 25V
Galia - maks : 1250W
Darbinė temperatūra : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Chassis Mount
Pakuotė / Byla : SP6
Tiekėjo įrenginio paketas : SP6