Dalies numeris :
MSRTA20080(A)D
Gamintojas :
GeneSiC Semiconductor
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
Diodo konfigūracija :
1 Pair Series Connection
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
800V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) (vienam diodui) :
200A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.1V @ 200A
Greitis :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
-
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
10µA @ 800V
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 150°C
Montavimo tipas :
Chassis Mount
Pakuotė / Byla :
Three Tower
Tiekėjo įrenginio paketas :
Three Tower