Vishay Siliconix - SIHB8N50D-GE3

KEY Part #: K6393027

SIHB8N50D-GE3 Kainodara (USD) [114968vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.32333
  • 1,000 pcs$0.32172

Dalies numeris:
SIHB8N50D-GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tiristoriai - SCR - moduliai, Diodai - RF, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Diodai - Zener - masyvai and Diodai - lygintuvai - viengubi ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB8N50D-GE3 electronic components. SIHB8N50D-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB8N50D-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB8N50D-GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SIHB8N50D-GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK
Serija : -
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 500V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 8.7A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 850 mOhm @ 4A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 30nC @ 10V
VG (maks.) : ±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 527pF @ 100V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 156W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-263 (D²Pak)
Pakuotė / Byla : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Galbūt jus taip pat domina