Dalies numeris :
GC08MPS12-252
Gamintojas :
GeneSiC Semiconductor
apibūdinimas :
SIC DIODE 1200V 8A TO-252-2
Diodo tipas :
Silicon Carbide Schottky
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
1200V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
40A (DC)
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.8V @ 8A
Greitis :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
0ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
7µA @ 1200V
Talpa @ Vr, F :
545pF @ 1V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tiekėjo įrenginio paketas :
TO-252-2
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 175°C