IXYS - IXTA110N12T2

KEY Part #: K6394641

IXTA110N12T2 Kainodara (USD) [20874vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$2.17265
  • 10 pcs$1.93908
  • 100 pcs$1.59005
  • 500 pcs$1.28755
  • 1,000 pcs$1.03020

Dalies numeris:
IXTA110N12T2
Gamintojas:
IXYS
Išsamus aprašymas:
120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tiristoriai - SCR, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai and Tiristoriai - DIAC, SIDAC ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in IXYS IXTA110N12T2 electronic components. IXTA110N12T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA110N12T2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA110N12T2 Produkto atributai

Dalies numeris : IXTA110N12T2
Gamintojas : IXYS
apibūdinimas : 120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
Serija : TrenchT2™
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 120V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 110A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 14 mOhm @ 55A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 120nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 6570pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 517W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-263 (IXTA)
Pakuotė / Byla : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB