Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Diodai - lygintuvai - viengubi
  5. RU 1BV1

Sanken - RU 1BV1

KEY Part #: K6457265

RU 1BV1 Kainodara (USD) [417505vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.09015
  • 7,000 pcs$0.08970
Dalies numeris:
RU 1BV1
Gamintojas:
Sanken
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 800V 250MA AXIAL.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Sanken RU 1BV1 electronic components. RU 1BV1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RU 1BV1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RU 1BV1 Produkto atributai

Dalies numeris : RU 1BV1
Gamintojas : Sanken
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 800V 250MA AXIAL
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 800V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 250mA
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 2.5V @ 250mA
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 400ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 10µA @ 800V
Talpa @ Vr, F : -
Montavimo tipas : Through Hole
Pakuotė / Byla : Axial
Tiekėjo įrenginio paketas : -
Darbinė temperatūra - sankryža : -40°C ~ 150°C
Galbūt jus taip pat domina
  • VS-4EVH02-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 200V SLIMDPAK.

  • SS14-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 40 Volt

  • USB260HM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,600V,30NS,SMB UF Rectifier SMB

  • UH2CHE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,150V,25ns, SMB Planar FER RECT, SMD

  • UH2BHE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,25ns, SMB Planar FER RECT, SMD

  • ESH2DHE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,200V,25ns SMB, UF Rect, SMD

Karštos dalys