Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Diodai - lygintuvai - viengubi
  5. BYV30JT-600PQ

WeEn Semiconductors - BYV30JT-600PQ

KEY Part #: K6440506

[3795vnt. sandėlyje]

    Dalies numeris:
    BYV30JT-600PQ
    Gamintojas:
    WeEn Semiconductors
    Išsamus aprašymas:
    DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P. Rectifiers BYV30JT-600PQ/TO3PF/STANDARD M
    Manufacturer's standard lead time:
    Prekyboje
    Tinkamumo laikas:
    Vieneri metai
    Čipas nuo:
    Honkongas
    RoHS:
    Mokėjimo būdas:
    Siuntos būdas:
    Šeimos kategorijos:
    PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš and Diodai - tiltiniai lygintuvai ...
    Konkurencinis pranašumas:
    We specialize in WeEn Semiconductors BYV30JT-600PQ electronic components. BYV30JT-600PQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYV30JT-600PQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BYV30JT-600PQ Produkto atributai

    Dalies numeris : BYV30JT-600PQ
    Gamintojas : WeEn Semiconductors
    apibūdinimas : DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P
    Serija : -
    Dalies būsena : Active
    Diodo tipas : Standard
    Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 600V
    Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 30A
    Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.8V @ 30A
    Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Atbulinės eigos laikas (trr) : 65ns
    Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 10µA @ 600V
    Talpa @ Vr, F : -
    Montavimo tipas : Through Hole
    Pakuotė / Byla : TO-3P-3, SC-65-3
    Tiekėjo įrenginio paketas : TO-3P
    Darbinė temperatūra - sankryža : 175°C (Max)
    Galbūt jus taip pat domina
    • VS-80APS08-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC. Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3

    • V20100S-E3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 100 Volt Single TrenchMOS

    • EGP20G-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 400 Volt

    • RGP15K-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC. Rectifiers 800 Volt 1.5A 500ns 50 Amp IFSM

    • RGP15M-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5A 500ns 50 Amp IFSM

    • 1N5395GP-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO204AC. Rectifiers 1.5 Amp 400 Volt Glass Passivated

    Karštos dalys