Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Diodai - lygintuvai - viengubi
  5. JANTXV1N5416US

Microsemi Corporation - JANTXV1N5416US

KEY Part #: K6433303

JANTXV1N5416US Kainodara (USD) [6017vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$7.61973
  • 109 pcs$7.58182
Dalies numeris:
JANTXV1N5416US
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 100V 3A D5B. Diodes - General Purpose, Power, Switching Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tiristoriai - SCR - moduliai, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - JFET, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - moduliai and Diodai - Zener - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5416US electronic components. JANTXV1N5416US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5416US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5416US Produkto atributai

Dalies numeris : JANTXV1N5416US
Gamintojas : Microsemi Corporation
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 100V 3A D5B
Serija : Military, MIL-PRF-19500/411
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 100V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 3A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.5V @ 9A
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 150ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 1µA @ 100V
Talpa @ Vr, F : -
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : SQ-MELF, B
Tiekėjo įrenginio paketas : D-5B
Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 175°C

Naujausios naujienos

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Galbūt jus taip pat domina
  • MMBD914-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V

  • BAS19WT-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 100V

  • SS2FL4HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If(AV) 2A Vrrm 40V AEC-Q101 Qualified

  • V2FM10-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    2A100VSMFTRENCH SKY RECT..

  • SS2FH6HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 2A 60V Schottky Rect

  • SS2FN6HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 2A,60V,SMFSkty Rect AEC-Q101 Qualified

Karštos dalys