Alliance Memory, Inc. - AS4C64M16MD1A-5BIN

KEY Part #: K938220

AS4C64M16MD1A-5BIN Kainodara (USD) [19607vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$2.33705

Dalies numeris:
AS4C64M16MD1A-5BIN
Gamintojas:
Alliance Memory, Inc.
Išsamus aprašymas:
IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA. DRAM 1G 1.8V 64M x 16 Mobile DDR I-Temp
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Logika - skaitikliai, dalikliai, Linijiniai - stiprintuvai - specialios paskirties, Laikrodis / laikas - laikrodžio buferiai, tvarkykl, PMIC - ARBA valdikliai, idealūs diodai, Įterptiniai - mikroprocesoriai, PMIC - įtampos reguliatoriai - specialios paskirti, PMIC - energijos matavimas and Sąsaja - valdikliai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C64M16MD1A-5BIN electronic components. AS4C64M16MD1A-5BIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C64M16MD1A-5BIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C64M16MD1A-5BIN Produkto atributai

Dalies numeris : AS4C64M16MD1A-5BIN
Gamintojas : Alliance Memory, Inc.
apibūdinimas : IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Serija : -
Dalies būsena : Active
Atminties tipas : Volatile
Atminties formatas : DRAM
Technologija : SDRAM - Mobile LPDDR
Atminties dydis : 1Gb (64M x 16)
Laikrodžio dažnis : 200MHz
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis : 15ns
Prieigos laikas : 5ns
Atminties sąsaja : Parallel
Įtampa - tiekimas : 1.7V ~ 1.95V
Darbinė temperatūra : -40°C ~ 85°C (TA)
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : 60-VFBGA
Tiekėjo įrenginio paketas : 60-FBGA (9x8)

Galbūt jus taip pat domina
  • MR25H10CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W979H2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C