Infineon Technologies - BSC022N04LSATMA1

KEY Part #: K6419795

BSC022N04LSATMA1 Kainodara (USD) [133120vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.27785
  • 5,000 pcs$0.23607

Dalies numeris:
BSC022N04LSATMA1
Gamintojas:
Infineon Technologies
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tiristoriai - TRIAC, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai and Tiristoriai - SCR - moduliai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Infineon Technologies BSC022N04LSATMA1 electronic components. BSC022N04LSATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC022N04LSATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC022N04LSATMA1 Produkto atributai

Dalies numeris : BSC022N04LSATMA1
Gamintojas : Infineon Technologies
apibūdinimas : MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
Serija : OptiMOS™
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 40V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 100A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 2.2 mOhm @ 50A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 37nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 2600pF @ 20V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : PG-TDSON-8
Pakuotė / Byla : 8-PowerTDFN

Galbūt jus taip pat domina
  • 2N7000

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • AUIRFR3806TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK.

  • AUIRFR5505TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.

  • TK60S06K3L(T6L1,NQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A DPAK-3.

  • TK65S04K3L(T6L1,NQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3.

  • AUIRLR3410TR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.