Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-20ATS12-M3

KEY Part #: K6434453

VS-20ATS12-M3 Kainodara (USD) [31971vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$1.28907
  • 1,000 pcs$1.10291

Dalies numeris:
VS-20ATS12-M3
Gamintojas:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-220-e3
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tiristoriai - TRIAC, Galios tvarkyklės moduliai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai and Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-20ATS12-M3 electronic components. VS-20ATS12-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-20ATS12-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-20ATS12-M3 Produkto atributai

Dalies numeris : VS-20ATS12-M3
Gamintojas : Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AB
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 1200V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 20A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.1V @ 20A
Greitis : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : -
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 100µA @ 1200V
Talpa @ Vr, F : -
Montavimo tipas : Through Hole
Pakuotė / Byla : TO-220-3
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-220AB
Darbinė temperatūra - sankryža : -40°C ~ 150°C

Galbūt jus taip pat domina
  • VS-HFA04SD60STRHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A D-PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4 Amp 600 Volt

  • VS-HFA04SD60SR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-8EWS16STRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWF12SLHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODES - D-PAK-E3. Rectifiers 8A If; 1200V Vr TO-252AA (DPAK)

  • VS-8EWF04STRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWS10S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK. Rectifiers Input Diodes - D-PAK