VS-20ATS12-M3 Kainodara (USD) [31971vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$1.28907
- 1,000 pcs$1.10291
- Dalies numeris:
- VS-20ATS12-M3
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-220-e3
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tiristoriai - TRIAC, Galios tvarkyklės moduliai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai and Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-20ATS12-M3 electronic components. VS-20ATS12-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-20ATS12-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-20ATS12-M3 Produkto atributai
Dalies numeris :
VS-20ATS12-M3
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AB
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
1200V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
20A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.1V @ 20A
Greitis :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
-
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
100µA @ 1200V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Through Hole
Pakuotė / Byla :
TO-220-3
Tiekėjo įrenginio paketas :
TO-220AB
Darbinė temperatūra - sankryža :
-40°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
VS-HFA04SD60STRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A D-PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4 Amp 600 Volt
-
VS-HFA04SD60SR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-8EWS16STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWF12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODES - D-PAK-E3. Rectifiers 8A If; 1200V Vr TO-252AA (DPAK)
-
VS-8EWF04STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWS10S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK. Rectifiers Input Diodes - D-PAK
Karštos dalys
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18