Vishay Siliconix - SIHH24N65E-T1-GE3

KEY Part #: K6417048

SIHH24N65E-T1-GE3 Kainodara (USD) [24024vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$1.72398
  • 3,000 pcs$1.71541

Dalies numeris:
SIHH24N65E-T1-GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Diodai - RF, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Diodai - lygintuvai - viengubi and Tiristoriai - SCR - moduliai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SIHH24N65E-T1-GE3 electronic components. SIHH24N65E-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHH24N65E-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHH24N65E-T1-GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SIHH24N65E-T1-GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK
Serija : -
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 650V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 23A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 150 mOhm @ 12A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 116nC @ 10V
VG (maks.) : ±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 2814pF @ 100V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 202W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : PowerPAK® 8 x 8
Pakuotė / Byla : 8-PowerTDFN

Galbūt jus taip pat domina
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.