BU1210-M3/45 Kainodara (USD) [42703vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.87383
- 10 pcs$0.78352
- 25 pcs$0.73920
- 100 pcs$0.62978
- 250 pcs$0.59136
- 500 pcs$0.51744
- 1,000 pcs$0.42874
- 2,500 pcs$0.39917
- 5,000 pcs$0.38438
- Dalies numeris:
- BU1210-M3/45
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- BRIDGE RECT 1P 1KV 12A BU. Bridge Rectifiers 12A,1000V,STD,INLINE POWER BRIDGE
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - Zener - masyvai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai and Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BU1210-M3/45 electronic components. BU1210-M3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BU1210-M3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BU1210-M3/45 Produkto atributai
Dalies numeris :
BU1210-M3/45
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
BRIDGE RECT 1P 1KV 12A BU
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Single Phase
Technologija :
Standard
Įtampa - didžiausia atbuline eiga (maks.) :
1kV
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
12A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.05V @ 6A
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
5µA @ 1000V
Darbinė temperatūra :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas :
Through Hole
Pakuotė / Byla :
4-SIP, BU
Tiekėjo įrenginio paketas :
isoCINK+™ BU
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
GBPC2502W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 200V 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 200 Volt
-
GBPC2510W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 1000 Volt
-
VS-GBPC3512W
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 1.2KV 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1200 Volt 35 Amp
-
TSS4B03G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B. Bridge Rectifiers 35ns 4A 200V Sup Fst Rec Rect
-
TS6KL60 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBJL. Bridge Rectifiers 6A 600V Standard Bridge Rectif
-
TS10KL80 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A KBJL. Bridge Rectifiers 10A 800V Standard Bridge Rectif
Karštos dalys
- 684-5
- VUO192-16NO7
- M2550TB1600
- KBU606G T0G
- KBU1004G T0G
- KBU1002G T0G
- KBL404G T0G
- GBU4ML-5001M3/45
- GBL08-5300E3/51
- GBL06L-5303E3/51
- GBL06-3E3/51
- CBR1F-010
- KBP302G C2
- CBR1-020
- 2KBP04ML-6422E4/51
- F475R07W2H3B51BOMA1
- CBR6-040
- 3KBP04M-M4/51
- W005M
- CD2320-B11000
- MSD200-16
- VSIB460-E3/45
- G3SBA20-E3/45
- KBP005M-E4/51
- VSIB440-E3/45
- 3KBP01M-E4/51
- RS507-G
- EFG15G
- VUO70-08NO7
- VUC25-14GO2
- VUB33-06P1
- KBU4D
- 2KBP01M
- RS406L-BP
- MB1510W-BP
- EFE13F
- EDF1AS/27
- MB88
- GBJ1504
- 2KBP02-BP