Vishay Siliconix - SIR640ADP-T1-GE3

KEY Part #: K6419161

SIR640ADP-T1-GE3 Kainodara (USD) [95166vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.41087
  • 3,000 pcs$0.38494

Dalies numeris:
SIR640ADP-T1-GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - specialios paskirties, Diodai - RF and Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SIR640ADP-T1-GE3 electronic components. SIR640ADP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR640ADP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR640ADP-T1-GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SIR640ADP-T1-GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Serija : TrenchFET®
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 40V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 41.6A (Ta), 100A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 2 mOhm @ 20A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 90nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 4240pF @ 20V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : PowerPAK® SO-8
Pakuotė / Byla : PowerPAK® SO-8