Dalies numeris :
SIR640ADP-T1-GE3
Gamintojas :
Vishay Siliconix
apibūdinimas :
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Technologija :
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
40V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
41.6A (Ta), 100A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) :
4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
2 mOhm @ 20A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
90nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
4240pF @ 20V
Galios išsklaidymas (maks.) :
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Darbinė temperatūra :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas :
Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas :
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / Byla :
PowerPAK® SO-8