GeneSiC Semiconductor - FR85D05

KEY Part #: K6425035

Išsamus aprašymas:: DIODE GEN PURP 200V 85A DO5. Rectifiers 200V 85A Fast Recovery

Šeimos kategorijos:: PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Galios tvarkyklės moduliai, Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Diodai - lygintuvai - viengubi, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks ...

Konkurencinis pranašumas:: We specialize in GeneSiC Semiconductor FR85D05 electronic components. FR85D05 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FR85D05, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Dalies numeris : FR85D05

Gamintojas : GeneSiC Semiconductor

apibūdinimas : DIODE GEN PURP 200V 85A DO5

Serija : -

Dalies būsena : Active

Diodo tipas : Standard

Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 200V

Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 85A

Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.4V @ 85A

Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Atbulinės eigos laikas (trr) : 500ns

Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 25µA @ 100V

Talpa @ Vr, F : -

Montavimo tipas : Chassis, Stud Mount

Pakuotė / Byla : DO-203AB, DO-5, Stud

Tiekėjo įrenginio paketas : DO-5

Darbinė temperatūra - sankryža : -40°C ~ 125°C

Galbūt jus taip pat domina

FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
IGB01N120H2ATMA1

Infineon Technologies

IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier