Dalies numeris :
FDP18N20F
Gamintojas :
ON Semiconductor
apibūdinimas :
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
Technologija :
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
200V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
18A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) :
10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
145 mOhm @ 9A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
26nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
1180pF @ 25V
Galios išsklaidymas (maks.) :
100W (Tc)
Darbinė temperatūra :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas :
Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas :
TO-220AB
Pakuotė / Byla :
TO-220-3