Vishay Siliconix - SIHD7N60ET5-GE3

KEY Part #: K6419408

SIHD7N60ET5-GE3 Kainodara (USD) [110485vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.33477

Dalies numeris:
SIHD7N60ET5-GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tiristoriai - SCR, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni and Tranzistoriai - specialios paskirties ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SIHD7N60ET5-GE3 electronic components. SIHD7N60ET5-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHD7N60ET5-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHD7N60ET5-GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SIHD7N60ET5-GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
Serija : E
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 600V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 7A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 600 mOhm @ 3.5A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 40nC @ 10V
VG (maks.) : ±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 680pF @ 100V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 78W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-252AA
Pakuotė / Byla : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63