Vishay Siliconix - SIR422DP-T1-GE3

KEY Part #: K6416256

SIR422DP-T1-GE3 Kainodara (USD) [167720vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.22053
  • 3,000 pcs$0.20708

Dalies numeris:
SIR422DP-T1-GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tiristoriai - SCR - moduliai and Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SIR422DP-T1-GE3 electronic components. SIR422DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR422DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR422DP-T1-GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SIR422DP-T1-GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Serija : TrenchFET®
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 40V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 40A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 6.6 mOhm @ 20A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 48nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 1785pF @ 20V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 5W (Ta), 34.7W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : PowerPAK® SO-8
Pakuotė / Byla : PowerPAK® SO-8

Galbūt jus taip pat domina
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • PSMN5R0-80PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB.

  • FDG311N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.

  • FDG410NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6.