BAS516,L3F Kainodara (USD) [3388457vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.01092
- Dalies numeris:
- BAS516,L3F
- Gamintojas:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 100V .35pF .25A
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš and Tiristoriai - SCR ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage BAS516,L3F electronic components. BAS516,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS516,L3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS516,L3F Produkto atributai
Dalies numeris :
BAS516,L3F
Gamintojas :
Toshiba Semiconductor and Storage
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
100V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
250mA
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.25V @ 150mA
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
3ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
200nA @ 80V
Talpa @ Vr, F :
0.35pF @ 0V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
SC-79, SOD-523
Tiekėjo įrenginio paketas :
ESC
Darbinė temperatūra - sankryža :
150°C (Max)
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Karštos dalys
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18