BAS16E6327HTSA1 Kainodara (USD) [3047293vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.06328
- 10 pcs$0.05893
- 100 pcs$0.03211
- 500 pcs$0.01977
- 1,000 pcs$0.01348
- Dalies numeris:
- BAS16E6327HTSA1
- Gamintojas:
- Infineon Technologies
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni and Tiristoriai - SCR - moduliai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Infineon Technologies BAS16E6327HTSA1 electronic components. BAS16E6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS16E6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS16E6327HTSA1 Produkto atributai
Dalies numeris :
BAS16E6327HTSA1
Gamintojas :
Infineon Technologies
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
Serija :
-
Dalies būsena :
Last Time Buy
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
80V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
250mA (DC)
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.25V @ 150mA
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
4ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
1µA @ 75V
Talpa @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tiekėjo įrenginio paketas :
SOT-23-3
Darbinė temperatūra - sankryža :
150°C (Max)
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
BAS16-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300mA 100V
-
-
BAS16E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A
-
-
CMDSH-4E TR
Central Semiconductor Corp
DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers Enh Spec Schottky 40Vrrm 200mA 250mW
-
CMDD6001 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
Karštos dalys
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A