ESH1BHE3_A/I Kainodara (USD) [678920vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.05448
- Dalies numeris:
- ESH1BHE3_A/I
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC. Rectifiers 1A, 100V, 25NS, SMA AEC-Q101 Qualified
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Diodai - lygintuvai - viengubi and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ESH1BHE3_A/I electronic components. ESH1BHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ESH1BHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ESH1BHE3_A/I Produkto atributai
Dalies numeris :
ESH1BHE3_A/I
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Serija :
Automotive, AEC-Q101
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
100V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
900mV @ 1A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
25ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
1µA @ 100V
Talpa @ Vr, F :
25pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
DO-214AC, SMA
Tiekėjo įrenginio paketas :
DO-214AC (SMA)
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 175°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
1SS193-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 80V 100MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100mA, 80V
-
MMBD914-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V
-
BAS19WT-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 100V
-
SS2FH10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 2A Vrrm 100V AEC-Q101 Qualified
-
SS2FL4HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If(AV) 2A Vrrm 40V AEC-Q101 Qualified
-
Karštos dalys
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A