Vishay Siliconix - SI5902BDC-T1-GE3

KEY Part #: K6524938

SI5902BDC-T1-GE3 Kainodara (USD) [150065vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.24648
  • 3,000 pcs$0.23145

Dalies numeris:
SI5902BDC-T1-GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tiristoriai - SCR - moduliai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - IGBT - moduliai and Tranzistoriai - specialios paskirties ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SI5902BDC-T1-GE3 electronic components. SI5902BDC-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5902BDC-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5902BDC-T1-GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SI5902BDC-T1-GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Serija : TrenchFET®
Dalies būsena : Active
FET tipas : 2 N-Channel (Dual)
FET funkcija : Logic Level Gate
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 30V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 4A
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 65 mOhm @ 3.1A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 7nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 220pF @ 15V
Galia - maks : 3.12W
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : 8-SMD, Flat Lead
Tiekėjo įrenginio paketas : 1206-8 ChipFET™

Galbūt jus taip pat domina
  • FDG6322C

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 25V SC70-6.

  • SI1900DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6.

  • FDG1024NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6.

  • FDY4000CZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 20V SC89-6.

  • ZXMN3AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP.

  • SI6926ADQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8-TSSOP.