Microsemi Corporation - APT100GT120JU3

KEY Part #: K6532491

APT100GT120JU3 Kainodara (USD) [2567vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$16.62320
  • 10 pcs$15.37785
  • 25 pcs$14.13121
  • 100 pcs$13.13363
  • 250 pcs$12.05303

Dalies numeris:
APT100GT120JU3
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Išsamus aprašymas:
IGBT 1200V 140A 480W SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tiristoriai - TRIAC, Galios tvarkyklės moduliai, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tiristoriai - SCR - moduliai, Tranzistoriai - IGBT - masyvai and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Microsemi Corporation APT100GT120JU3 electronic components. APT100GT120JU3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT100GT120JU3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT100GT120JU3 Produkto atributai

Dalies numeris : APT100GT120JU3
Gamintojas : Microsemi Corporation
apibūdinimas : IGBT 1200V 140A 480W SOT227
Serija : -
Dalies būsena : Active
IGBT tipas : Trench Field Stop
Konfigūracija : Single
Įtampa - kolektoriaus skleidėjo suskirstymas (maks.) : 1200V
Dabartinis - kolektorius (Ic) (maks.) : 140A
Galia - maks : 480W
Vce (įjungta) (maks.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 100A
Dabartinė - Kolekcionieriaus atjungimas (maks.) : 5mA
Įvesties talpa (Cies) @ Vce : 7.2nF @ 25V
Įvestis : Standard
NTC termistorius : No
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Chassis Mount
Pakuotė / Byla : ISOTOP
Tiekėjo įrenginio paketas : SOT-227

Galbūt jus taip pat domina
  • GA100SICP12-227

    GeneSiC Semiconductor

    SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV.

  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.