[11663vnt. sandėlyje]
- Dalies numeris:
- MT53B512M16D1Z11MWC2 MS
- Gamintojas:
- Micron Technology Inc.
- Išsamus aprašymas:
- LPDDR4 8G DIE 512MX16. DRAM LPDDR4 8G Die 512MX16
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: PMIC - terminis valdymas, Sąsaja - UART (universalus asinchroninio imtuvo si, Sąsaja - filtrai - aktyvi, Linijiniai - stiprintuvai - specialios paskirties, Įterptasis - DSP (skaitmeninių signalų procesoriai, Sąsaja - moduliai, Laikrodis / laikas - IC baterijos and PMIC - energijos matavimas ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Micron Technology Inc. MT53B512M16D1Z11MWC2 MS electronic components. MT53B512M16D1Z11MWC2 MS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT53B512M16D1Z11MWC2 MS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MT53B512M16D1Z11MWC2 MS Produkto atributai
Dalies numeris :
MT53B512M16D1Z11MWC2 MS
Gamintojas :
Micron Technology Inc.
apibūdinimas :
LPDDR4 8G DIE 512MX16
Serija :
*
Dalies būsena :
Active
Atminties tipas :
-
Atminties formatas :
-
Technologija :
-
Atminties dydis :
-
Laikrodžio dažnis :
-
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis :
-
Prieigos laikas :
-
Atminties sąsaja :
-
Įtampa - tiekimas :
-
Darbinė temperatūra :
-
Montavimo tipas :
-
Pakuotė / Byla :
-
Tiekėjo įrenginio paketas :
-
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
IS61LPD51236A-200TQI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. SRAM 18Mb 512Kx36 200MHz Sync SRAM 3.3v
-
IS61LPD102418A-200TQI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. SRAM 18Mb 1Mbx18 200MHz Sync SRAM 3.3v
-
IS62WV102416ALL-35TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP. SRAM 16M (1Mx16) 35ns Async SRAM
-
IS43TR16512AL-15HBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA. DRAM DDR3L,8G,1.35V,RoHs 1333MT/s,512Mx16
-
IS43TR16512A-125KBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA. DRAM DDR3,8G,1.5V,RoHs 1600MT/s,512Mx16, IT
-
MR4A16BYS35R
Everspin Technologies Inc.
IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2. NVRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM
Karštos dalys
- W25P40VSNIG
- MT28F008B3VG-9 TET TR
- AT49LV001-12JI
- AT49F001-70PC
- AT49BV001T-12TI
- AT45D021-TI
- AT28C16E-20PC
- AT27LV020A-15JI
- AT27C4096-90VC
- AT27C020-70TC
- AT27C010L-45PI
- AT29LV1024-15JC
- AT24C02-10PI-2.7
- S29WS128N0SBAW013
- IS61LPS102418A-250B3I
- MT25QL256ABA8ESF-0AAT
- MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E
- EDF8132A3MA-GD-F-R TR
- MT29F128G08AUCBBH3-12IT:B TR
- S34ML04G200BHV003
- S34ML04G100BHB000
- W29GL256SH9T
- AS7C31026C-10BINTR
- IS42S16320B-6BLI
- IS42S16800E-7TL-TR
- MT29F128G08CFAABWP-12Z:A TR
- AS7C31025C-10TJIN
- S29PL064J70BFW120
- N2M400GDB321A3CE
- CY62147EV30LL-45ZSXA
- IDT71V3579S80PF
- IDT71V2556S166PFI8
- 71321SA25J
- IDT70824S25PF8
- JS28F256P33TFA
- BQ4015YMA-85
- IS42S16160B-7TLI-TR
- S29CD016J0MDGH014
- W978H2KBVX2E
- BR24C04-DS6TP