Dalies numeris :
RN2119MFV(TPL3)
Gamintojas :
Toshiba Semiconductor and Storage
apibūdinimas :
TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM
Tranzistoriaus tipas :
PNP - Pre-Biased
Dabartinis - kolektorius (Ic) (maks.) :
100mA
Įtampa - kolektoriaus skleidėjo suskirstymas (maks.) :
50V
Rezistorius - bazė (R1) :
1 kOhms
Rezistorius - emiterio bazė (R2) :
-
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
120 @ 1mA, 5V
Vce sodrumas (maks.) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 5mA
Dabartinė - Kolekcionieriaus atjungimas (maks.) :
100nA (ICBO)
Montavimo tipas :
Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas :
VESM