NSVBAT54LT1G Kainodara (USD) [1478599vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.02502
- 12,000 pcs$0.01942
- Dalies numeris:
- NSVBAT54LT1G
- Gamintojas:
- ON Semiconductor
- Išsamus aprašymas:
- DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 30V TR
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - specialios paskirties, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - IGBT - masyvai and Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in ON Semiconductor NSVBAT54LT1G electronic components. NSVBAT54LT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVBAT54LT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSVBAT54LT1G Produkto atributai
Dalies numeris :
NSVBAT54LT1G
Gamintojas :
ON Semiconductor
apibūdinimas :
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Schottky
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
30V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
200mA (DC)
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
800mV @ 100mA
Greitis :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Atbulinės eigos laikas (trr) :
5ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
2µA @ 25V
Talpa @ Vr, F :
10pF @ 1V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tiekėjo įrenginio paketas :
SOT-23-3 (TO-236)
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 125°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
-
QH12BZ600
Power Integrations
DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 12A, Rectifier
-
QH03BZ600
Power Integrations
DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 3A, Rectifier
-
VS-SD1100C12C
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 1400A B-43. Rectifiers 1200 Volt 1400 Amp
-
-
SBAS116LT1G
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 75V T
Karštos dalys
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18