Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N4448WS-HE3-18

KEY Part #: K6439907

1N4448WS-HE3-18 Kainodara (USD) [2750629vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.01419
  • 10,000 pcs$0.01412

Dalies numeris:
1N4448WS-HE3-18
Gamintojas:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 150mA 4ns 500mA IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - specialios paskirties, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tiristoriai - TRIAC, Diodai - RF, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai and Diodai - „Zener“ - vienviečiai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4448WS-HE3-18 electronic components. 1N4448WS-HE3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4448WS-HE3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4448WS-HE3-18 Produkto atributai

Dalies numeris : 1N4448WS-HE3-18
Gamintojas : Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 75V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 150mA
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 720mV @ 5mA
Greitis : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Atbulinės eigos laikas (trr) : 4ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 5µA @ 75V
Talpa @ Vr, F : -
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : SC-76, SOD-323
Tiekėjo įrenginio paketas : SOD-323
Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 150°C

Galbūt jus taip pat domina
  • BAS19

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA

  • MMBD4448

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast

  • MMBD1501A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose

  • BAS29

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA

  • BAV20W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM

  • 1N4148W-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns