IXYS - IXFH320N10T2

KEY Part #: K6398101

IXFH320N10T2 Kainodara (USD) [7633vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$5.94064
  • 10 pcs$5.34481
  • 100 pcs$4.39444
  • 500 pcs$3.68183

Dalies numeris:
IXFH320N10T2
Gamintojas:
IXYS
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 320A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - specialios paskirties, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tiristoriai - SCR - moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Diodai - lygintuvai - viengubi, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - IGBT - masyvai and Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in IXYS IXFH320N10T2 electronic components. IXFH320N10T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH320N10T2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH320N10T2 Produkto atributai

Dalies numeris : IXFH320N10T2
Gamintojas : IXYS
apibūdinimas : MOSFET N-CH 100V 320A TO-247
Serija : HiPerFET™, TrenchT2™
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 100V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 320A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 3.5 mOhm @ 100A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 430nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 26000pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 1000W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas : Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-247AD (IXFH)
Pakuotė / Byla : TO-247-3

Galbūt jus taip pat domina
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • R8010ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 10A TO220.

  • TK9A90E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 900V TO220SIS.

  • RCX080N25

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 8A TO220.

  • TK28A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS.