GF1MHE3/5CA Kainodara (USD) [537478vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.07262
- 6,500 pcs$0.07226
- Dalies numeris:
- GF1MHE3/5CA
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tiristoriai - SCR - moduliai, Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas and Diodai - „Zener“ - vienviečiai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GF1MHE3/5CA electronic components. GF1MHE3/5CA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GF1MHE3/5CA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GF1MHE3/5CA Produkto atributai
Dalies numeris :
GF1MHE3/5CA
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA
Serija :
SUPERECTIFIER®
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
1000V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.2V @ 1A
Greitis :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
2µs
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
5µA @ 1000V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
DO-214BA
Tiekėjo įrenginio paketas :
DO-214BA (GF1)
Darbinė temperatūra - sankryža :
-65°C ~ 175°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
CMDSH05-4 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers 40V Low Vf Schottky 500mA If 250mW
-
GL41YHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
-
RGL34KHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
ES1D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt
-
US1M-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt
-
MURS160HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA. Rectifiers 1A,600V,50ns SMB, UF Rect, SMD
Karštos dalys
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18