VS-ST173S10PFP1 Kainodara (USD) [731vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$63.51274
- 12 pcs$60.48852
- Dalies numeris:
- VS-ST173S10PFP1
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- SCR 1000V 275A TO-93. SCRs Thyristors - TO-93 COMP RND-e3
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - lygintuvai - viengubi, Tiristoriai - SCR - moduliai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš and Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ST173S10PFP1 electronic components. VS-ST173S10PFP1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-ST173S10PFP1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-ST173S10PFP1 Produkto atributai
Dalies numeris :
VS-ST173S10PFP1
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
SCR 1000V 275A TO-93
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Įtampa - išjungta būsena :
1kV
Įtampa - vartų įjungiklis (Vgt) (maks.) :
3V
Dabartinis - vartų įjungiklis (Igt) (maks.) :
200mA
Įtampa - esant būsenai (Vtm) (maks.) :
2.07V
Dabartinė - įjungta būsena (ji (AV)) (maks.) :
175A
Dabartinė - įjungta būsena (ji (RMS)) (maks.) :
275A
Dabartinis - sulaikytas (Ih) (maks.) :
600mA
Dabartinė - išjungta būsena (maks.) :
40mA
Srovė - nereprezentinis viršįtampis 50, 60Hz (jos ilgis) :
3940A, 4120A
SCR tipas :
Standard Recovery
Darbinė temperatūra :
-40°C ~ 125°C
Montavimo tipas :
Chassis, Stud Mount
Pakuotė / Byla :
TO-209AB, TO-93-4, Stud
Tiekėjo įrenginio paketas :
TO-209AB (TO-93)
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAS16E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
Karštos dalys
- C702CB
- VS-ST083S12MFK2L
- VS-ST083S10PFP0
- T500067004AQ
- JANTX2N2328A
- CR8CM-12B#BH0
- CR6FM-12B#BH0
- BT145-800RTQ
- BT169HML
- CS220-16P
- CS220-25B
- JAN2N2325S
- 2N2324U4
- 2N2324A
- 2N685
- JANTX2N2329A
- T72H064564DN
- T72H0645B4DN
- T72H104524DN
- T72H044544DN
- T7SH104074DN
- T7SH1240B4DN
- T72H023544DN
- T72H0835B4DN
- NYC008-6JG
- NXL0840,412
- T510055004AQ
- MCR100-004
- TN805-600H
- S6008L58
- S6006F1
- S4008VS3
- S2006F1-TYPE41
- 16TTS12STRR
- S2006L
- JANTXV2N2325S
- 2N2323A
- VS-10TTS08STRRPBF
- BTW68-600RG
- X0205NA 1BA2