Vishay Semiconductor Diodes Division - ES07B-GS18

KEY Part #: K6454600

ES07B-GS18 Kainodara (USD) [921392vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.04236
  • 10,000 pcs$0.04215
  • 30,000 pcs$0.03876

Dalies numeris:
ES07B-GS18
Gamintojas:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - JFET, Diodai - lygintuvai - viengubi, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Diodai - lygintuvai - masyvai and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES07B-GS18 electronic components. ES07B-GS18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES07B-GS18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES07B-GS18 Produkto atributai

Dalies numeris : ES07B-GS18
Gamintojas : Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 100V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 1.2A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 980mV @ 1A
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 25ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 10µA @ 100V
Talpa @ Vr, F : 4pF @ 4V, 50MHz
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : DO-219AB
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-219AB (SMF)
Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 150°C

Galbūt jus taip pat domina
  • C4D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 5A

  • 1N4150W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns

  • SE20FGHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT

  • ES07B-GS18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM

  • BYM10-200-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM10-400-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated