Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Diodai - lygintuvai - viengubi
  5. 1N5407-G

Comchip Technology - 1N5407-G

KEY Part #: K6443917

1N5407-G Kainodara (USD) [1221065vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.03197
  • 1,200 pcs$0.03181
Dalies numeris:
1N5407-G
Gamintojas:
Comchip Technology
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD. Diodes - General Purpose, Power, Switching VR=800V, IO=3A
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - JFET, Diodai - lygintuvai - viengubi, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai and Diodai - Zener - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Comchip Technology 1N5407-G electronic components. 1N5407-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5407-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5407-G Produkto atributai

Dalies numeris : 1N5407-G
Gamintojas : Comchip Technology
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 800V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 3A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1V @ 3A
Greitis : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : -
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 5µA @ 800V
Talpa @ Vr, F : -
Montavimo tipas : Through Hole
Pakuotė / Byla : DO-201AD, Axial
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-27 (DO-201AD)
Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 125°C

Naujausios naujienos

Comchip Technology CGRTS General Purpose Rectifiers
Comchip Technology ACZRT55C-G Automotive Zener Diodes
Galbūt jus taip pat domina
  • BAS16-D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3.

  • VS-HFA08TA60C-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AB.

  • VSB1545-M3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 15A P600.

  • BAY80-TAP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35.

  • VS-8ETU04STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A TO262.

  • VS-MBRB1045PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 10A D2PAK.

Karštos dalys