Dalies numeris :
SQJA20EP-T1_GE3
Gamintojas :
Vishay Siliconix
apibūdinimas :
MOSFET N-CH 200V PWRPAK SO-8L
Serija :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Technologija :
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
200V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
22.5A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) :
7.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
50 mOhm @ 10A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
3.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
27nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
1300pF @ 25V
Galios išsklaidymas (maks.) :
68W (Tc)
Darbinė temperatūra :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas :
Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas :
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / Byla :
PowerPAK® SO-8