Microsemi Corporation - JANTX1N6627US

KEY Part #: K6447657

JANTX1N6627US Kainodara (USD) [3515vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$12.31980

Dalies numeris:
JANTX1N6627US
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tiristoriai - TRIAC, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tiristoriai - DIAC, SIDAC and Diodai - lygintuvai - viengubi ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N6627US electronic components. JANTX1N6627US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N6627US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N6627US Produkto atributai

Dalies numeris : JANTX1N6627US
Gamintojas : Microsemi Corporation
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B
Serija : Military, MIL-PRF-19500/590
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 440V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 1.75A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.35V @ 2A
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 30ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 2µA @ 440V
Talpa @ Vr, F : 40pF @ 10V, 1MHz
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : SQ-MELF, E
Tiekėjo įrenginio paketas : D-5B
Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 150°C

Galbūt jus taip pat domina
  • RURD660S9A-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V

  • RURD660S9A-F085P

    ON Semiconductor

    UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes

  • FFSD08120A

    ON Semiconductor

    1200V 8A SIC SBD. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A SIC SBD

  • RURD460S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Fast Diode 4a 600V

  • 1PS193,115

    NXP USA Inc.

    DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

  • 1PS193,135

    NXP USA Inc.

    DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.