Vishay Siliconix - SIA433EDJ-T1-GE3

KEY Part #: K6420970

SIA433EDJ-T1-GE3 Kainodara (USD) [306526vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.12067
  • 3,000 pcs$0.11355

Dalies numeris:
SIA433EDJ-T1-GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš and Diodai - tiltiniai lygintuvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SIA433EDJ-T1-GE3 electronic components. SIA433EDJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA433EDJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA433EDJ-T1-GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SIA433EDJ-T1-GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6
Serija : TrenchFET®
Dalies būsena : Active
FET tipas : P-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 20V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 12A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 1.8V, 4.5V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 18 mOhm @ 7.6A, 4.5V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 1.2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 75nC @ 8V
VG (maks.) : ±12V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : -
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : PowerPAK® SC-70-6 Single
Pakuotė / Byla : PowerPAK® SC-70-6

Galbūt jus taip pat domina