1N5062TR Kainodara (USD) [537478vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.07262
- 5,000 pcs$0.07226
- 10,000 pcs$0.06727
- 25,000 pcs$0.06644
- Dalies numeris:
- 1N5062TR
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57. Rectifiers 2.0 Amp 800 Volt 50 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Diodai - Zener - masyvai, Tiristoriai - DIAC, SIDAC and Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N5062TR electronic components. 1N5062TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5062TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N5062TR Produkto atributai
Dalies numeris :
1N5062TR
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Avalanche
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
800V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
2A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.15V @ 2.5A
Greitis :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
4µs
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
1µA @ 800V
Talpa @ Vr, F :
40pF @ 0V, 1MHz
Montavimo tipas :
Through Hole
Pakuotė / Byla :
SOD-57, Axial
Tiekėjo įrenginio paketas :
SOD-57
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 175°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
SD101AW-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60 Volt
-
SL04-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 40V Schottky SMF AEC-Q101 Qualified
-
RS07K-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 800V 500MA DO219AB. Rectifiers 1.3V 2uA 300ns
-
SE10FJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V SMF Rectifier
-
S07J-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 600V 700MA DO219AB. Rectifiers 0.7 Amp 600 Volt 1.8uS
-
SS1FH10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 1A Vrrm 100V AEC-Q101 Qualified
Karštos dalys
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08