Microsemi Corporation - APT37F50B

KEY Part #: K6392614

APT37F50B Kainodara (USD) [11348vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$3.99274
  • 10 pcs$3.59347
  • 100 pcs$2.95467
  • 500 pcs$2.47554
  • 1,000 pcs$2.15612

Dalies numeris:
APT37F50B
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 37A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Diodai - lygintuvai - masyvai and Tiristoriai - DIAC, SIDAC ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Microsemi Corporation APT37F50B electronic components. APT37F50B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT37F50B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT37F50B Produkto atributai

Dalies numeris : APT37F50B
Gamintojas : Microsemi Corporation
apibūdinimas : MOSFET N-CH 500V 37A TO-247
Serija : -
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 500V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 37A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 150 mOhm @ 18A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 145nC @ 10V
VG (maks.) : ±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 5710pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 520W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-247 [B]
Pakuotė / Byla : TO-247-3

Galbūt jus taip pat domina
  • VN3205N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3.

  • FDD8796

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 25V 35A DPAK.

  • FQD7N30TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK.

  • FQD5N20LTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK.

  • FDD3670

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK.

  • HUF76609D3ST

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 10A DPAK.