Dalies numeris :
SI5458DU-T1-GE3
Gamintojas :
Vishay Siliconix
apibūdinimas :
MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Technologija :
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
30V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
6A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) :
4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
41 mOhm @ 7.1A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
9nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
325pF @ 15V
Galios išsklaidymas (maks.) :
3.5W (Ta), 10.4W (Tc)
Darbinė temperatūra :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas :
Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas :
8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
Pakuotė / Byla :
8-PowerVDFN